Doktorandenstelle - Crystal Growth of SiC using Close-Space PVT (m/w/d)

Ihr Arbeitsplatz

Die Forschungsgruppe CGL (Crystal Growth Lab) ist Bestandteil des Lehrstuhls für Werkstoffwissenschaften (Materialien der Elektronik und der Energietechnologie) der Technischen Fakultät an der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU). Dort arbeiten Sie mit dem Halbelitermaterial Siliziumkarbid (SiC), das sich in der Leistungselektronik als Standard-Halbleitermaterial etabliert hat. Neu sind Anwendungen in der Photonik, welche sich ebenfalls die außerordentlichen physikalischen Eigenschaften von SiC zunutze machen. Im EU Projekt RePowerSiC werden mithilfe des sogenannten CS-PVT-Verfahrens (Close-Space Physical-Vapor-Transport) p-i-n-Schichtstrukturen hergestellt, welche in leistungsfähigen Photodioden als effiziente Energiewandler von Laserlicht zum Einsatz kommen.



Wir haben einiges zu bieten: unsere Benefits
  • Regelmäßiger Stufenanstieg und steigendes Gehalt nach Tarifvertrag für den öffentlichen Dienst der Länder (TV-L) bzw. Besoldung nach BayBesG sowie zusätzliche Jahressonderzahlung
  • Urlaubsanspruch von 30 Tagen pro Kalenderjahr bei fünf Arbeitstagen pro Woche, mit zusätzlichen freien Tagen am 24. und 31. Dezember
  • Betriebliche Altersversorgung und vermögenswirksame Leistungen

  • Intensive Begleitung in der wissenschaftlichen Qualifikationsphase
  • Promotion in einem strukturierten Programm
  • Systematische Karriereentwicklung im Graduiertenzentrum
  • Umfassende Einarbeitung durch engagiertes Team
  • Gemeinsame Aktivitäten im Team
  • Vergünstigtes Essens- und Getränkeangebot in unseren Mensen
  • Arbeitsplätze in fußläufiger Nähe zum öffentlichen Nahverkehr
  • Familienfreundliche Umgebung mit Ferien- und Kinderbetreuungsangeboten
  • Flexible Arbeitszeitregelungen
  • Vielfältige Weiterbildungs- und Fortbildungsmöglichkeiten
  • Aktives Gesundheitsmanagement


Ihre Aufgaben
  • Herstellung von dicken SiC Halbleiterschichten auf kristallinen SiC Substraten mithilfe des Gasphasenwachstums (Sublimation von SiC Feststoffquellen und Kristallisation auf Halbleiterscheiben)
  • Untersuchung der morphologischen, strukturellen und optoelektronischen Eigenschaften der dünnen Filme
  • Zusammenarbeit mit den Projektpartnern im Projekt, um die Schichteigenschaften auf die Bauelementanforderungen anzupassen Die Doktorandenstelle ermöglicht die Mitarbeit in dem internationalen EU-Projekt RePowerSiC. In Zusammenarbeit mit den Partnern in Europa sind kurze Auslandsaufenthalte für Fachtreffen und Forschungstätigkeiten möglich.


Ihr Profil
  • Sehr gut abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master oder vergleichbar) in Materialwissenschaft, Nanotechnologie, Elektrotechnik, Physik oder in einem vergleichbaren Fachgebiet
  • Gute Englischkenntnisse in Wort und Schrift
  • Selbstständiges Arbeiten und Arbeiten als Teil eines interdisziplinären Teams
  • Positive Einstellung, Freude am Forschen und Finden neuer Lösungsansätze
  • Vorkenntnisse im Bereich der Materialsynthese und/oder Charakterisierung von Halbleitern sind von Vorteil


Stellenzusatz

Aufgrund der restriktiven gesetzlichen Vorgaben der Technologie-Exportkontrolle müssen Projektmitarbeitende zwingend Staatsangehörige der Europäischen Union, der Schweiz, von Norwegen oder der USA/Canada sein.


Bewerbungsschluss

17.09.2024

Stellenbezeichnung

Doktorandenstelle - Crystal Growth of SiC using Close-Space PVT (m/w/d)

Beschäftigungsbeginn

01.10.2024

Besoldungs-/Entgeltgruppe/Festbetrag

E13

Beschäftigungsumfang

Teilzeit

Wochenarbeitszeit

30

Befristung

ja

Befristungsgrund

Befristetes Forschungsvorhaben

Anstellungsdauer

24 Monate

Weitere Rahmenbedingungen

keine Angabe

Beschäftigungsort

Martensstr. 7
91058 Erlangen

Kontaktperson für weitere Informationen

Peter Wellmann
Tel.: 091318527729
Mobil:
peter.wellmann@fau.de

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